2N5401RL1概述
放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon
Bipolar BJT Transistor PNP 150V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 150V 0.6A TO92
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 500mA 160V PNP
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
2N5401RL1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -150 V
额定电流 -600 mA
极性 PNP
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
在线购买2N5401RL1