VISHAY 2N7002K-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 2Ω, 300mA, TO-236
**Features:**
* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available
* * Low On-Resistance: 2 Ω
* * Low Threshold: 2 V Typ.
* * Low Input Capacitance: 25 pF
* * Fast Switching Speed: 25 ns
* * Low Input and Output Leakage
* * TrenchFET® Power MOSFET
* * 2000 V ESD Protection
**Applications:**
* Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Display, Memories, Transistors, etc.
* Battery Operated Systems
* Solid State Relays
针脚数 3
漏源极电阻 2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 2 V
输入电容 30pF @25V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 115 mA
输入电容Ciss 30pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.35 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N7002K-T1-E3 VISHAY 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
2N7002LT1G 安森美 | 功能相似 | 2N7002K-T1-E3和2N7002LT1G的区别 |
2N7002KT1G 安森美 | 功能相似 | 2N7002K-T1-E3和2N7002KT1G的区别 |