对比图
型号 2N7002K-T1-E3 2N7002LT1G 2N7002ET1G
描述 N沟道MOSFET 60V 300mA SOT-23 代码 7K 坚固ON SEMICONDUCTOR 2N7002LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 VON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 7.5 Ω 7.5 Ω 0.86 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 0.35 W 200 mW 420 mW
阈值电压 2 V 2.5 V 1 V
输入电容 - - 26.7 pF
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 115 mA 115 mA 310 mA
上升时间 - - 1.2 ns
正向电压(Max) 1.3 V 1.5 V 1.2 V
输入电容(Ciss) 30pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds) 26.7pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 350 mW 225 mW 300 mW
下降时间 - - 3.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350 mW 225mW (Ta) 300 mW
额定电压(DC) - 60.0 V -
额定电流 - 115 mA -
额定功率 - 0.225 W -
漏源击穿电压 70.0 V 60 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
工作结温 -55℃ ~ 150℃ - -
长度 3.04 mm 2.9 mm 2.9 mm
宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.3 mm
高度 1.02 mm 0.94 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
最小包装 3000 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99