23LCV1024-I/P

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23LCV1024-I/P概述

MICROCHIP  23LCV1024-I/P  芯片, 存储器, SRAM, 串行口, 1MB, 2.5-5.5V, 8PDIP

静态 RAM,

### SRAM(静态随机存取存储器)


得捷:
IC SRAM 1MBIT SPI/DUAL 8DIP


欧时:
Microchip 23LCV1024-I/P, 1Mbit SRAM 内存芯片, 128K x 8 位, 20MHz, 2.5 → 5.5 V, 8针 PDIP封装


立创商城:
23LCV1024-I/P


贸泽:
SRAM 1024K 2.5V SPI SERIAL SRAM Vbat


e络盟:
SRAM, 1 Mbit, 128K x 8位, 2.5V 至 5.5V, DIP, 8 引脚


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 3.3V/5V 1M-bit 128K x 8 25ns 8-Pin PDIP Tube


Allied Electronics:
1024K; 2.5V SPI SERIAL SRAM; Vbat8 PDIP.300in TUBE


安富利:
SRAM Chip Sync Single 1M-Bit 128K x 8 25ns 8-Pin PDIP Tube


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 3.3V/5V 1M-bit 128K x 8 25ns 8-Pin PDIP Tube


TME:
Memory; SRAM; 128kx8bit; 2.5÷5.5V; 20MHz; DIP8; Interface: SPI


Verical:
SRAM Chip Sync Single 3.3V/5V 1M-bit 128K x 8 25ns 8-Pin PDIP Tube


Newark:
# MICROCHIP  23LCV1024-I/P  SRAM, SERIAL, 1MBIT, 2.5-5.5V, 8PDIP


儒卓力:
**Ser.BBSRAM 1M 128KX8 SPI PDIP8 **


Online Components:
SRAM Chip Sync Single 3.3V/5V 1M-bit 128K x 8 25ns 8-Pin PDIP Tube


23LCV1024-I/P中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.50V min

工作电压 2.5V ~ 5.5V

针脚数 8

时钟频率 20 MHz

位数 8

内存容量 125000 B

存取时间Max 25 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 PDIP-8

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 7.11 mm

高度 4.95 mm

封装 PDIP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Communications & Networking, 通信与网络

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

23LCV1024-I/P引脚图与封装图
23LCV1024-I/P引脚图
23LCV1024-I/P封装图
23LCV1024-I/P封装焊盘图
在线购买23LCV1024-I/P
型号: 23LCV1024-I/P
制造商: Microchip 微芯
描述:MICROCHIP  23LCV1024-I/P  芯片, 存储器, SRAM, 串行口, 1MB, 2.5-5.5V, 8PDIP
替代型号23LCV1024-I/P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

23LCV1024-I/P

Microchip 微芯

当前型号

当前型号

23LCV1024-I/SN

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完全替代

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完全替代

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完全替代

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