


















MICROCHIP 23LCV1024-I/P 芯片, 存储器, SRAM, 串行口, 1MB, 2.5-5.5V, 8PDIP
静态 RAM,
### SRAM(静态随机存取存储器)
得捷:
IC SRAM 1MBIT SPI/DUAL 8DIP
欧时:
Microchip 23LCV1024-I/P, 1Mbit SRAM 内存芯片, 128K x 8 位, 20MHz, 2.5 → 5.5 V, 8针 PDIP封装
立创商城:
23LCV1024-I/P
贸泽:
SRAM 1024K 2.5V SPI SERIAL SRAM Vbat
e络盟:
SRAM, 1 Mbit, 128K x 8位, 2.5V 至 5.5V, DIP, 8 引脚
艾睿:
SRAM Chip Sync Single 3.3V/5V 1M-bit 128K x 8 25ns 8-Pin PDIP Tube
Allied Electronics:
1024K; 2.5V SPI SERIAL SRAM; Vbat8 PDIP.300in TUBE
安富利:
SRAM Chip Sync Single 1M-Bit 128K x 8 25ns 8-Pin PDIP Tube
Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 3.3V/5V 1M-bit 128K x 8 25ns 8-Pin PDIP Tube
TME:
Memory; SRAM; 128kx8bit; 2.5÷5.5V; 20MHz; DIP8; Interface: SPI
Verical:
SRAM Chip Sync Single 3.3V/5V 1M-bit 128K x 8 25ns 8-Pin PDIP Tube
Newark:
# MICROCHIP 23LCV1024-I/P SRAM, SERIAL, 1MBIT, 2.5-5.5V, 8PDIP
儒卓力:
**Ser.BBSRAM 1M 128KX8 SPI PDIP8 **
Online Components:
SRAM Chip Sync Single 3.3V/5V 1M-bit 128K x 8 25ns 8-Pin PDIP Tube
电源电压DC 2.50V min
工作电压 2.5V ~ 5.5V
针脚数 8
时钟频率 20 MHz
位数 8
内存容量 125000 B
存取时间Max 25 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 2.5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 8
封装 PDIP-8
长度 10.16 mm
宽度 7.11 mm
高度 4.95 mm
封装 PDIP-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Communications & Networking, 通信与网络
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
23LCV1024-I/P Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
23LCV1024-I/SN 微芯 | 完全替代 | 23LCV1024-I/P和23LCV1024-I/SN的区别 |
23LC1024T-I/SN 微芯 | 完全替代 | 23LCV1024-I/P和23LC1024T-I/SN的区别 |
23LCV1024T-I/SN 微芯 | 完全替代 | 23LCV1024-I/P和23LCV1024T-I/SN的区别 |