2SK2267Q

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2SK2267Q中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 150 W

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 5400pF @10VVds

额定功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK2267Q
型号: 2SK2267Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3Pin3+Tab TO-3PL

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