2SK1254L-E

2SK1254L-E图片1
2SK1254L-E图片2
2SK1254L-E概述

硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

Application

High speed power switching

Features

•  Low on-resistance

•  High speed switching

•  4 V gate drive device

   Can be driven from 5 V source

•  Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 120V 3A 3-Pin3+Tab DPAKL Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 120V 3A 3-Pin3+Tab DPAKL Box


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 120V 3A 3-Pin3+Tab DPAKL Tube


2SK1254L-E中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 20 W

漏源极电压Vds 120 V

连续漏极电流Ids 3A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 420pF @10VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 DPAK

外形尺寸

封装 DPAK

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK1254L-E
型号: 2SK1254L-E
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET
替代型号2SK1254L-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SK1254L-E

Renesas Electronics 瑞萨电子

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2SK1254L

瑞萨电子

功能相似

2SK1254L-E和2SK1254L的区别

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