2N7000RLRP

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2N7000RLRP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 200 mA

通道数 1

漏源极电阻 5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

输入电容 60.0 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 200 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买2N7000RLRP
型号: 2N7000RLRP
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:小信号MOSFET 200毫安, 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92
替代型号2N7000RLRP
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ON Semiconductor 安森美

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