2SD1222

2SD1222 NPN达林顿 60v 3A HEF=1000~2000 TO252 代码 D1222

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 1000~2000 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5V 耗散功率PcPower Dissipation | 1W Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type. Switching Applications . Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications. Power Amplifier Applications. High DC current gain: hFE = 2000 min VCE = 2 V, IC = 1 A . Low saturation voltage: VCE sat = 1.5 V max IC = 2 A . Complementary to 2SB907. 描述与应用 | 晶体管NPN硅外延型。 切换应用程序。 锤驱动器，脉冲电机驱动应用。 功率放大器应用。 高直流电流增益：HFE=2000（分钟）（VCE= 2 V，IC= 1 A）。 低饱和电压VCE（sat）=1.5 V（最大值）（IC= 2）。 2SB907互补。