塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
- 双极 BJT - 单 PNP 32 V 4 A 3MHz 36 W 通孔 TO-126
得捷:
TRANS PNP 32V 4A TO126
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 4A 32V 36W PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 32V 4A 36000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Tube
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 32V 4A 3-Pin TO-225 Rail
Verical:
Trans GP BJT PNP 32V 4A 36000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Tube
频率 3 MHz
额定电压DC -32.0 V
额定电流 -4.00 A
极性 PNP
耗散功率 36 W
增益频宽积 3 MHz
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 85 @500mA, 1V
额定功率Max 36 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 36000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 7.74 mm
宽度 2.66 mm
高度 11.04 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BD436TG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BD436S 安森美 | 类似代替 | BD436TG和BD436S的区别 |
BD436STU 安森美 | 类似代替 | BD436TG和BD436STU的区别 |
2N5884G 安森美 | 功能相似 | BD436TG和2N5884G的区别 |