BD436S和BD436TG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD436S BD436TG BD441G

描述 TRANSISTOR PNP 32V 4A TO-126塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP TransistorON SEMICONDUCTOR  BD441G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 15 hFE 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3

频率 - 3 MHz 3 MHz

额定电压(DC) - -32.0 V 80.0 V

额定电流 - -4.00 A 4.00 A

极性 - PNP NPN

耗散功率 - 36 W 36 W

增益频宽积 - 3 MHz 3 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 80 V

集电极最大允许电流 - 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 5V 85 @500mA, 1V 40 @500mA, 1V

额定功率(Max) 36 W 36 W 36 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 36000 mW 36000 mW 36000 mW

针脚数 - - 3

直流电流增益(hFE) - - 15

长度 - 7.74 mm 7.74 mm

宽度 - 2.66 mm 2.66 mm

高度 - 11.04 mm 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bag Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台