BSC026NE2LS5ATMA1概述
BSC026NE2LS5ATMA1 编带
Summary of Features:
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- Best-in-class on-state resistance
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- Benchmark switching performance lowest figure of merits R on x Q g and
R on x Q gd
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- RoHS compliant and halogen free
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- Optimized EMI behavior integrated
damping network
Benefits:
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- Highest efficiency
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- Highest power density with S3O8 or Power Block package
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- Reduction of overall system costs
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- Operation at high-switching frequency
BSC026NE2LS5ATMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 29 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 4 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 29 W
阈值电压 1.2 V
输入电容 780 pF
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 24A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 1100pF @12VVds
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 29W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
外形尺寸
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 and, E-fuse, Single-phase and multiphase POL, High power density voltage regulator, Or-ing, CPU/GPU VR in notebooks
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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