BSC046N02KSGAUMA1

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BSC046N02KSGAUMA1概述

INFINEON  BSC046N02KSGAUMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 20 V, 0.0035 ohm, 4.5 V, 950 mV

OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列

Infineon
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* OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。

得捷:
MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON


欧时:
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC046N02KSGAUMA1, 80 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 80 A, 0.0035 ohm, TDSON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 19A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 19A 8-Pin TDSON EP


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 60A; 48W; PG-TDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 19A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 20 V, 0.0035 ohm, 4.5 V, 950 mV


BSC046N02KSGAUMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 48 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.0035 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 48 W

阈值电压 950 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 19A

上升时间 117 ns

输入电容Ciss 3100pF @10VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TDSON-8

外形尺寸

长度 6.35 mm

宽度 5.35 mm

高度 1.1 mm

封装 TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Mainboard, Onboard charger, VRD/VRM

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2017/01/12

数据手册

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型号: BSC046N02KSGAUMA1
描述:INFINEON  BSC046N02KSGAUMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 20 V, 0.0035 ohm, 4.5 V, 950 mV

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