




INFINEON BSC046N02KSGAUMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 20 V, 0.0035 ohm, 4.5 V, 950 mV
OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列
Infineon 得捷:
MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON
欧时:
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC046N02KSGAUMA1, 80 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 80 A, 0.0035 ohm, TDSON, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 19A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 19A 8-Pin TDSON EP
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 60A; 48W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 19A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 20 V, 0.0035 ohm, 4.5 V, 950 mV
额定功率 48 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.0035 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 48 W
阈值电压 950 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 19A
上升时间 117 ns
输入电容Ciss 3100pF @10VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2800 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TDSON-8
长度 6.35 mm
宽度 5.35 mm
高度 1.1 mm
封装 TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Mainboard, Onboard charger, VRD/VRM
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2017/01/12