Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC047N08NS3GATMA1, 100 A, Vds=80 V, 8引脚 TDSON封装
OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道，逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC047N08NS3GATMA1, 100 A, Vds=80 V, 8引脚 TDSON封装
得捷:
MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
贸泽:
MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 18A 8-Pin TDSON T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 80V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
额定功率 125 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 3.9 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
连续漏极电流Ids 18A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 3600pF @40VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 125W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 15℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, 通信与网络, 替代能源, 消费电子产品, 计算机和计算机周边, 发光二极管照明
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC