BUK7E11-55B,127参数规格_中文资料_数据手册PDF

BUK7E11-55B,127概述

Trans MOSFET N-CH 55V 84A Automotive 3Pin3+Tab I2PAK Rail

N-Channel 55V 75A Tc 157W Tc Through Hole I2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 84A Automotive 3-Pin3+Tab I2PAK Rail

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 84A Automotive 3-Pin3+Tab I2PAK Rail

Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 84A Automotive 3-Pin3+Tab I2PAK Rail

DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK

BUK7E11-55B,127中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 157 W

漏源极电压Vds 55 V

输入电容Ciss 2604pF @25VVds

额定功率Max 157 W

耗散功率Max 157W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买BUK7E11-55B,127

型号： BUK7E11-55B,127

制造商： NXP 恩智浦

描述：Trans MOSFET N-CH 55V 84A Automotive 3Pin3+Tab I2PAK Rail

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替代型号BUK7E11-55B,127

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STB80NF55L-08-1 意法半导体	功能相似	BUK7E11-55B,127和STB80NF55L-08-1的区别

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