对比图
型号 STB80NF55L-08-1 BUK7E11-55B,127 STB80NF55-08-1
描述 N沟道 55V 80ATrans MOSFET N-CH 55V 84A Automotive 3Pin(3+Tab) I2PAK RailN沟道55V - 0.0065欧姆 - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0065 ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
引脚数 3 - -
耗散功率 300 W 157 W 300W (Tc)
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
输入电容(Ciss) 4350pF @25V(Vds) 2604pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 157 W -
耗散功率(Max) 300W (Tc) 157W (Tc) 300W (Tc)
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 80.0 A
连续漏极电流(Ids) 80A - 80.0 A
上升时间 145 ns - 85.0 ns
极性 N-CH - -
下降时间 65 ns - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
长度 10 mm - -
宽度 4.4 mm - -
高度 8.95 mm - -
工作温度 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead