BCX19HZGT116

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BCX19HZGT116概述

单晶体管 双极, NPN, 45 V, 250 MHz, 425 mW, 500 mA, 40 hFE

Bipolar BJT Transistor 45 V 500 mA 200 mW Surface Mount SST3


得捷:
TRANS NPN 45V 0.5A SST3


贸泽:
ROHM Semiconductor


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 250 MHz, 425 mW, 500 mA, 40 hFE


安富利:
Transistor GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R


BCX19HZGT116中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 425 mW

集电极最大允许电流 0.5A

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 425 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BCX19HZGT116
型号: BCX19HZGT116
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:单晶体管 双极, NPN, 45 V, 250 MHz, 425 mW, 500 mA, 40 hFE

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