PMGD290XN,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PMGD290XN,115概述

NXP PMGD290XN,115 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 1 V

The is a dual N-channel enhancement-mode FET in a surface-mount plastic package using TrenchMOS™ technology. It is suitable for driver circuits and switching in portable appliances applications. The device offers 40% smaller footprint.

.: Fast switching speed

.: Low ON-state resistance

.: Low threshold voltage

PMGD290XN,115中文资料参数规格

技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.29 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 410 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 860 mA

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 34pF @20VVds

额定功率Max 410 mW

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 410 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Portable Devices, Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMGD290XN,115

型号： PMGD290XN,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP PMGD290XN,115 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 1 V

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替代型号PMGD290XN,115

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