FQD2N80TM_WS

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FQD2N80TM_WS中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 6.3 Ω

极性 N-CH

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

连续漏极电流Ids 1.8A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 550pF @25VVds

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQD2N80TM_WS
型号: FQD2N80TM_WS
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
替代型号FQD2N80TM_WS
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FQD2N80TM_WS

Fairchild 飞兆/仙童

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飞兆/仙童

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