对比图
型号 FQD2N80TM FQD2N80TM_WS STD7NM80
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N80TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 800 V, 4.9 ohm, 10 V, 5 VMOSFET N-CH 800V 1.8A DPAKN 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 3 - 3
通道数 - 1 -
漏源极电阻 4.9 Ω 6.3 Ω 0.95 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 90 W
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
漏源击穿电压 800 V 800 V -
连续漏极电流(Ids) 1.80 mA 1.8A 3.25 A
上升时间 30 ns 30 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 550pF @25V(Vds) 550pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds)
下降时间 28 ns 28 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5 W 2.5W (Ta), 50W (Tc) 90W (Tc)
额定电压(DC) 800 V - -
额定电流 1.80 A - -
针脚数 3 - 3
阈值电压 5 V - 4 V
输入电容 425 pF - -
栅电荷 12.0 nC - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
额定功率(Max) 2.5 W - 90 W
正向电压(Max) - - 1.3 V
长度 6.6 mm 6.73 mm 6.6 mm
宽度 6.1 mm 6.22 mm 6.2 mm
高度 2.3 mm 2.39 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -