FDP083N15A

FDP083N15A图片1
FDP083N15A中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 294W Tc

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 117A

输入电容Ciss 6040pF @25VVds

耗散功率Max 294W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDP083N15A
型号: FDP083N15A
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道MOSFET PowerTrench® 150V , 105A , 8.3米? N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 105A, 8.3m
替代型号FDP083N15A
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Fairchild 飞兆/仙童

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