FDP083N15A和FDP083N15A_F102

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP083N15A FDP083N15A_F102

描述 N沟道MOSFET PowerTrench® 150V , 105A , 8.3米? N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 105A, 8.3mPowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.00685 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 294W (Tc) 294 W

阈值电压 - 2 V

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 117A 105A

上升时间 - 58 ns

输入电容(Ciss) 6040pF @25V(Vds) 6040pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 231 W

下降时间 - 26 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 294W (Tc) 294W (Tc)

长度 - 10.36 mm

宽度 - 4.672 mm

高度 - 15.215 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

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