FQA36P15_F109

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FQA36P15_F109中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 294 W

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 36A

上升时间 350 ns

输入电容Ciss 3320pF @25VVds

下降时间 150 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 294W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 16.2 mm

宽度 5 mm

高度 20.1 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube, Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQA36P15_F109
型号: FQA36P15_F109
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:150V P沟道MOSFET 150V P-Channel MOSFET
替代型号FQA36P15_F109
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Fairchild 飞兆/仙童

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