FQA36P15和FQA36P15_F109

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQA36P15 FQA36P15_F109

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQA36P15  晶体管, MOSFET, P沟道, -36 A, -150 V, 90 mohm, -10 V, -4 V150V P沟道MOSFET 150V P-Channel MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-3-3 TO-3-3

引脚数 3 -

极性 P-Channel P-CH

耗散功率 294 W 294 W

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) -36.0 A 36A

上升时间 350 ns 350 ns

输入电容(Ciss) 3320pF @25V(Vds) 3320pF @25V(Vds)

下降时间 150 ns 150 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 294 W 294W (Tc)

额定电压(DC) -150 V -

额定电流 -36.0 A -

针脚数 3 -

漏源极电阻 90 mΩ -

栅源击穿电压 ±30.0 V -

额定功率(Max) 294 W -

长度 15.8 mm 16.2 mm

宽度 5 mm 5 mm

高度 18.9 mm 20.1 mm

封装 TO-3-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tube Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 -

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