IXGR60N60B2D1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGR60N60B2D1概述

IXYS SEMICONDUCTOR IXGR60N60B2D1 单晶体管, IGBT, 隔离, 75 A, 2 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚

IGBT PT 600V 75A 250W Through Hole ISOPLUS247™

得捷:
IGBT 600V 75A 250W ISOPLUS247

e络盟:
IXYS SEMICONDUCTOR IXGR60N60B2D1 单晶体管, IGBT, 隔离, 75 A, 2 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab PLUS 247

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXGR60N60B2D1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

上升时间 100 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 35 ns

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXGR60N60B2D1

型号： IXGR60N60B2D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IXYS SEMICONDUCTOR IXGR60N60B2D1 单晶体管, IGBT, 隔离, 75 A, 2 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚

替代型号IXGR60N60B2D1