IXFR80N50P

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IXFR80N50P概述

IXYS SEMICONDUCTOR IXFR80N50P MOSFET Transistor, N Channel, 45A, 500V, 72mohm, 10V, 5V

N-Channel 500V 45A Tc 360W Tc Through Hole ISOPLUS247™


得捷:
MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


IXFR80N50P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 80.0 A

漏源极电阻 0.072 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 360 W

阈值电压 5 V

输入电容 12.7 pF

栅电荷 197 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 45.0 A

上升时间 27 ns

隔离电压 2.50 kV

输入电容Ciss 12700pF @25VVds

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXFR80N50P
型号: IXFR80N50P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXYS SEMICONDUCTOR IXFR80N50P MOSFET Transistor, N Channel, 45A, 500V, 72mohm, 10V, 5V

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