IS42S16100E-7BL

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IS42S16100E-7BL概述

Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.4MM, 0.65MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-60

SDRAM 存储器 IC 16Mb(1M x 16) 并联 143 MHz 5.5 ns 60-TFBGA(6.4x10.1)


得捷:
IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA


安富利:
DRAM Chip SDRAM 16M-Bit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 16M-Bit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA


IS42S16100E-7BL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 130 mA

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42S16100E-7BL
型号: IS42S16100E-7BL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.4MM, 0.65MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-60
替代型号IS42S16100E-7BL
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