IXYS SEMICONDUCTOR IXGR50N60B2D1 单晶体管, IGBT, 隔离, 68 A, 2.2 V, 200 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚
IGBT 600V 68A 200W Through Hole ISOPLUS247™
得捷:
IGBT 600V 68A 200W ISOPLUS247
贸泽:
IGBT 晶体管 36 Amps 600V 2.0 V Rds
e络盟:
IXYS SEMICONDUCTOR IXGR50N60B2D1 单晶体管, IGBT, 隔离, 68 A, 2.2 V, 200 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 68A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 68A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
针脚数 3
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
上升时间 65.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 35 ns
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 ISOPLUS-247
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 ISOPLUS-247
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXGR50N60B2D1 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXGR72N60B3H1 IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXGR50N60B2D1和IXGR72N60B3H1的区别 |