IPA60R125P6XKSA1

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IPA60R125P6XKSA1概述

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

通孔 N 通道 600 V 30A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP


欧时:
Infineon MOSFET IPA60R125P6XKSA1


得捷:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP


立创商城:
N沟道 600V 30A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.113 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin TO-220 FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


IPA60R125P6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 34 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.113 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 34 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 2660pF @100VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 34W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 PWM stages TTF, LLC for, PFC stages for, , telecom rectifier,

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPA60R125P6XKSA1
型号: IPA60R125P6XKSA1
描述:单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

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