DPAK N-CH 500V 7.6A
N-Channel 500V 7.6A Tc 57W Tc Surface Mount PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 24A DPAK-2
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; 57W; PG-TO252-3
额定功率 57 W
通道数 1
漏源极电阻 450 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 57 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 7.6A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 433pF @100VVds
额定功率Max 57 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 57W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD50R500CEATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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IPD50R500CEAUMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD50R500CEATMA1和IPD50R500CEAUMA1的区别 |
IPD50R500CEBTMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD50R500CEATMA1和IPD50R500CEBTMA1的区别 |