IRF9389PBF

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IRF9389PBF概述

SOIC N+P 30V 6.8A/4.6A

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 6.8A,4.6A 2W 表面贴装型 8-SO


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SO Tube/Bulk


Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO / Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.8A, 4.6A 2W Surface Mount 8-SO


IRF9389PBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N+P

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.8A/4.6A

输入电容Ciss 398pF @15VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF9389PBF
型号: IRF9389PBF
描述:SOIC N+P 30V 6.8A/4.6A
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IRF9389PBF

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IRF9389PBF和IRF9389TRPBF的区别

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