IKB10N60TATMA1

Infineon IKB10N60TATMA1 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 20 A, 1MHz, 3引脚 D2PAK TO-263封装

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

• 极低的 VCEsat

• 低断开损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最大接点温度为 175°C

得捷:
IGBT 600V 20A 110W TO263-3

欧时:
Infineon IKB10N60TATMA1 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 20 A, 1MHz, 3引脚 D2PAK TO-263封装

贸泽:
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110000mW Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 / IGBT NPT, Trench Field Stop 600 V 20 A 110 W Surface Mount PG-TO263-3-2