IGB01N120H2ATMA1

IGB01N120H2ATMA1图片1
IGB01N120H2ATMA1图片2
IGB01N120H2ATMA1概述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 3.2A 3Pin2+Tab TO-263

Summary of Features:

.
Loss reduction in resonant circuits
.
Temperature stable behavior
.
Parallel switching capability
.
Tight parameter distribution
.
E off optimized for IC =1A

Target Applications:

 

.
SMPS
IGB01N120H2ATMA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 28000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 28 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 28000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IGB01N120H2ATMA1
型号: IGB01N120H2ATMA1
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 3.2A 3Pin2+Tab TO-263

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台