JR28F064M29EWHA

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JR28F064M29EWHA概述

Micron### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。

闪存存储器,


得捷:
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP


欧时:
Micron JR28F064M29EWHA 闪存, 64Mbit 4M x 16 位,8M x 8 位, 并行接口, 70ns, 2.7 → 3.6 V, 48引脚


艾睿:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64M-bit 8M x 8/4M x 16 70ns 48-Pin TSOP Tray


安富利:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 8M/4M x 8bit/16bit 70ns 48-Pin TSOP Tray


JR28F064M29EWHA中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.70V min

位数 8, 16

存取时间 70 ns

内存容量 8000000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 TSOP-48

外形尺寸

长度 18.4 mm

宽度 12 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

JR28F064M29EWHA引脚图与封装图
JR28F064M29EWHA引脚图
JR28F064M29EWHA封装图
JR28F064M29EWHA封装焊盘图
在线购买JR28F064M29EWHA
型号: JR28F064M29EWHA
制造商: Micron 镁光
描述:Micron ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
替代型号JR28F064M29EWHA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JR28F064M29EWHA

Micron 镁光

当前型号

当前型号

JR28F064M29EWHB TR

镁光

功能相似

JR28F064M29EWHA和JR28F064M29EWHB TR的区别

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