放大器晶体管 Amplifier Transistors
Bipolar BJT Transistor PNP 40V 1A 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 40V 1A TO92
艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 3-Pin TO-92 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 3-Pin TO-92 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 3-Pin TO-92 T/R
频率 100 MHz
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
耗散功率 625 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPS6652RLRAG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MPS6652G 安森美 | 类似代替 | MPS6652RLRAG和MPS6652G的区别 |
2SD1898T100R 罗姆半导体 | 功能相似 | MPS6652RLRAG和2SD1898T100R的区别 |
MPS6652 Central Semiconductor | 功能相似 | MPS6652RLRAG和MPS6652的区别 |