0.3A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET
N-Channel 60V 300mA Tc 800mW Ta Surface Mount SOT-223
得捷:
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60VDC; RDSON 1.7 Ohms; ID 300mA; SOT-223 TO-261; PD 0.8W
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
力源芯城:
0.3A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
额定电压DC 60.0 V
额定电流 300 mA
漏源极电阻 1.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 0.8 W
输入电容 65pF @25V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 300 mA
输入电容Ciss 65pF @25VVds
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 800mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
高度 1.65 mm
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMFT960T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMFT960T1 安森美 | 类似代替 | MMFT960T1G和MMFT960T1的区别 |
ZVN2106GTA 美台 | 功能相似 | MMFT960T1G和ZVN2106GTA的区别 |
MMFT960T3 安森美 | 功能相似 | MMFT960T1G和MMFT960T3的区别 |