MMFT960T1和MMFT960T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMFT960T1 MMFT960T1G MMFT960T3

描述 功率MOSFET 300毫安, 60伏 Power MOSFET 300 mA, 60 Volts0.3A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFETSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-261-4 TO-261-4 -

引脚数 - 4 -

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 300 mA 300 mA -

通道数 1 - -

漏源极电阻 1.7 Ω 1.7 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 800 mW 0.8 W -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

漏源击穿电压 60 V 60 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 300 mA 300 mA -

输入电容(Ciss) 65pF @25V(Vds) 65pF @25V(Vds) -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 800mW (Ta) 800mW (Ta) -

输入电容 - 65pF @25V -

额定功率(Max) - 800 mW -

长度 6.5 mm 6.7 mm -

宽度 3.5 mm - -

高度 1.57 mm 1.65 mm -

封装 TO-261-4 TO-261-4 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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