MJE18008G

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MJE18008G概述

ON SEMICONDUCTOR  MJE18008G  单晶体管 双极, NPN, 450 V, 13 MHz, 360 mW, 8 A, 5 hFE 新

高电压,

### 标准

带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor MJE18008G , NPN 晶体管, 8 A, Vce=450 V, HFE:10, 1 MHz, 3引脚 TO-220AB封装


得捷:
TRANS NPN 450V 8A TO220


立创商城:
MJE18008G


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 450 V, 13 MHz, 360 mW, 8 A, 5 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


安富利:
Trans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 450V; 8A; 125W; TO220AB


Verical:
Trans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJE18008G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 450 V, 13 MHz, 125 W, 8 A, 34 hFE


Win Source:
TRANS NPN 450V 8A TO220AB


MJE18008G中文资料参数规格
技术参数

频率 13 MHz

额定电压DC 450 V

额定电流 8.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 125 W

增益频宽积 13 MHz

击穿电压集电极-发射极 450 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 14 @1A, 5V

额定功率Max 125 W

直流电流增益hFE 34

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 125 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 4.83 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJE18008G
型号: MJE18008G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MJE18008G  单晶体管 双极, NPN, 450 V, 13 MHz, 360 mW, 8 A, 5 hFE 新
替代型号MJE18008G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJE18008G

ON Semiconductor 安森美

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MJE18008

安森美

完全替代

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