ON SEMICONDUCTOR MJE18008G 单晶体管 双极, NPN, 450 V, 13 MHz, 360 mW, 8 A, 5 hFE 新
高电压,
### 标准
带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
ON Semiconductor MJE18008G , NPN 晶体管, 8 A, Vce=450 V, HFE:10, 1 MHz, 3引脚 TO-220AB封装
得捷:
TRANS NPN 450V 8A TO220
立创商城:
MJE18008G
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 450 V, 13 MHz, 360 mW, 8 A, 5 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
安富利:
Trans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
TME:
Transistor: NPN; bipolar; 450V; 8A; 125W; TO220AB
Verical:
Trans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJE18008G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 450 V, 13 MHz, 125 W, 8 A, 34 hFE
Win Source:
TRANS NPN 450V 8A TO220AB
频率 13 MHz
额定电压DC 450 V
额定电流 8.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 125 W
增益频宽积 13 MHz
击穿电压集电极-发射极 450 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 14 @1A, 5V
额定功率Max 125 W
直流电流增益hFE 34
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 125 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.83 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MJE18008G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJE18008 安森美 | 完全替代 | MJE18008G和MJE18008的区别 |
BUL510 意法半导体 | 功能相似 | MJE18008G和BUL510的区别 |
BUT12AI,127 恩智浦 | 功能相似 | MJE18008G和BUT12AI,127的区别 |