BUT12AI,127和MJE18008G

对比图

型号 BUT12AI,127 MJE18008G BUT12AI

描述 TO-220AB NPN 450V 8AON SEMICONDUCTOR  MJE18008G  单晶体管 双极, NPN, 450 V, 13 MHz, 360 mW, 8 A, 5 hFE 新硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

引脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 450 V 450 V 450 V

集电极最大允许电流 8A 8A 8A

最小电流放大倍数(hFE) 14 @1A, 5V 14 @1A, 5V -

额定功率(Max) 110 W 125 W -

频率 - 13 MHz -

额定电压(DC) - 450 V -

额定电流 - 8.00 A -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 125 W -

增益频宽积 - 13 MHz -

直流电流增益(hFE) - 34 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 125 W -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 - 10.28 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 15.75 mm -

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -