对比图
型号 BUT12AI,127 MJE18008G BUT12AI
描述 TO-220AB NPN 450V 8AON SEMICONDUCTOR MJE18008G 单晶体管 双极, NPN, 450 V, 13 MHz, 360 mW, 8 A, 5 hFE 新硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
引脚数 - 3 3
极性 NPN NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 450 V 450 V 450 V
集电极最大允许电流 8A 8A 8A
最小电流放大倍数(hFE) 14 @1A, 5V 14 @1A, 5V -
额定功率(Max) 110 W 125 W -
频率 - 13 MHz -
额定电压(DC) - 450 V -
额定电流 - 8.00 A -
针脚数 - 3 -
耗散功率 - 125 W -
增益频宽积 - 13 MHz -
直流电流增益(hFE) - 34 -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 125 W -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
长度 - 10.28 mm -
宽度 - 4.83 mm -
高度 - 15.75 mm -
工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -