MJE15029G

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MJE15029G概述

ON SEMICONDUCTOR  MJE15029G  单晶体管 双极, 音频, PNP, -120 V, 30 Hz, 50 W, -8 A, 40 hFE

PNP 功率,

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor MJE15029G , PNP 晶体管, 8 A, Vce=120 V, HFE:20, 30 MHz, 3引脚 TO-220AB封装


得捷:
TRANS PNP 120V 8A TO220


立创商城:
MJE15029G


e络盟:
单晶体管 双极, 音频, PNP, -120 V, 30 MHz, 50 W, -8 A, 40 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Allied Electronics:
ON Semi MJE15029G PNP Bipolar Transistor; 8 A; 120 V; 3-Pin TO-220AB


安富利:
Trans GP BJT PNP 120V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB


Verical:
Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJE15029G  Bipolar BJT Single Transistor, Audio, PNP, -120 V, 30 Hz, 50 W, -8 A, 40 hFE


Win Source:
TRANS PNP 120V 8A TO220AB


MJE15029G中文资料参数规格
技术参数

频率 30 MHz

额定电压DC -120 V

额定电流 -8.00 A

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 50 W

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 2V

额定功率Max 50 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 50000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 4.82 mm

高度 9.28 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 工业, 音频, Industrial, Audio, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJE15029G
型号: MJE15029G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MJE15029G  单晶体管 双极, 音频, PNP, -120 V, 30 Hz, 50 W, -8 A, 40 hFE
替代型号MJE15029G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

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MJE15029

安森美

完全替代

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2N6476

Multicomp

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