MJE15029和MJE15029G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE15029 MJE15029G

描述 8安培功率晶体管互补硅120-150伏, 50瓦 8 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 120−150 VOLTS, 50 WATTSON SEMICONDUCTOR  MJE15029G  单晶体管 双极, 音频, PNP, -120 V, 30 Hz, 50 W, -8 A, 40 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

频率 - 30 MHz

额定电压(DC) -120 V -120 V

额定电流 -8.00 A -8.00 A

针脚数 - 3

极性 - PNP, P-Channel

耗散功率 - 50 W

击穿电压(集电极-发射极) 120 V 120 V

集电极最大允许电流 - 8A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 2V 20 @4A, 2V

额定功率(Max) 50 W 50 W

直流电流增益(hFE) - 40

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 50000 mW

长度 - 10.28 mm

宽度 - 4.82 mm

高度 - 9.28 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99

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