STS7C4F30L

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STS7C4F30L概述

N沟道30V - 0.018欧姆 - 7A SO- 8 P沟道30V - 0.070欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.018 ohm - 7A SO-8 P-CHANNEL 30V - 0.070 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET

Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 4A 2W Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 7A/4A 8SOIC


Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 7A/4A 8SOIC


STS7C4F30L中文资料参数规格
技术参数

额定电流 7.00 A

极性 N+P

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

上升时间 35.0 ns

输入电容Ciss 1050pF @25VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

STS7C4F30L引脚图与封装图
STS7C4F30L引脚图
STS7C4F30L封装图
STS7C4F30L封装焊盘图
在线购买STS7C4F30L
型号: STS7C4F30L
描述:N沟道30V - 0.018欧姆 - 7A SO- 8 P沟道30V - 0.070欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.018 ohm - 7A SO-8 P-CHANNEL 30V - 0.070 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET
替代型号STS7C4F30L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STS7C4F30L

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

SI4542DY

飞兆/仙童

功能相似

STS7C4F30L和SI4542DY的区别

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