SI4542DY和STS7C4F30L

对比图

型号 SI4542DY STS7C4F30L SI4542DY-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SI4542DY  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.5 VN沟道30V - 0.018欧姆 - 7A SO- 8 P沟道30V - 0.070欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.018 ohm - 7A SO-8 P-CHANNEL 30V - 0.070 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFETMOSFET 30V 6.9/6.1A 2W

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

额定电流 7.00 A 7.00 A -

极性 N-Channel, P-Channel N+P N-Channel, P-Channel

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 7.00 A 6.90 A

上升时间 - 35.0 ns -

输入电容(Ciss) 830pF @15V(Vds) 1050pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 1 W 2 W -

漏源极电阻 0.019 Ω - 25.0 mΩ

耗散功率 2 W - 2.00 W

漏源击穿电压 ±30.0 V - 30.0 V

额定电压(DC) 30.0 V - -

针脚数 8 - -

阈值电压 1.5 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 1.6 W - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.9 mm - 3.9 mm

高度 1.575 mm - 1.75 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -