55GN01CA-TB-E

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55GN01CA-TB-E概述

55GN01CA 系列 NPN 10 V 200 mW 70 mA 特高频 宽带 低噪声 放大器 - CP-3

射频双极,

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP


立创商城:
55GN01CA-TB-E


欧时:
ON Semiconductor 55GN01CA-TB-E , NPN 晶体管, 70 mA, Vce=10 V, HFE:100, 5.5 GHz, 3引脚 CP封装


贸泽:
射频RF双极晶体管 SWITCHING DEVICE


艾睿:
Compared to other transistors, the 55GN01CA-TB-E RF bi-polar junction transistor, developed by ON Semiconductor, can properly function in the event of high radio frequency power situations. This RF transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
ON Semi 55GN01CA-TB-E NPN RF Bipolar Transistor, 0.07 A, 10 V, 3-Pin CP


安富利:
Trans GP BJT NPN 10V 0.07A 3-Pin CP T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 200mW 3-Pin SC-59 T/R


Win Source:
TRANS NPN BIPOLAR 10V 70MA CP


55GN01CA-TB-E中文资料参数规格
技术参数

频率 5.5 GHz

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 10 V

增益 9.5 dB

最小电流放大倍数hFE 100

最大电流放大倍数hFE 180

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买55GN01CA-TB-E
型号: 55GN01CA-TB-E
描述:55GN01CA 系列 NPN 10 V 200 mW 70 mA 特高频 宽带 低噪声 放大器 - CP-3

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