55GN01CA 系列 NPN 10 V 200 mW 70 mA 特高频 宽带 低噪声 放大器 - CP-3
射频双极,
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP
立创商城:
55GN01CA-TB-E
欧时:
ON Semiconductor 55GN01CA-TB-E , NPN 晶体管, 70 mA, Vce=10 V, HFE:100, 5.5 GHz, 3引脚 CP封装
贸泽:
射频RF双极晶体管 SWITCHING DEVICE
艾睿:
Compared to other transistors, the 55GN01CA-TB-E RF bi-polar junction transistor, developed by ON Semiconductor, can properly function in the event of high radio frequency power situations. This RF transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
Allied Electronics:
ON Semi 55GN01CA-TB-E NPN RF Bipolar Transistor, 0.07 A, 10 V, 3-Pin CP
安富利:
Trans GP BJT NPN 10V 0.07A 3-Pin CP T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
Win Source:
TRANS NPN BIPOLAR 10V 70MA CP
频率 5.5 GHz
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 10 V
增益 9.5 dB
最小电流放大倍数hFE 100
最大电流放大倍数hFE 180
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR