7164S20YG

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7164S20YG概述

静态随机存取存储器 64K8KX8 BICMOS STAT RAM

SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kb 8K x 8 Parallel 20ns 28-SOJ


得捷:
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ


贸泽:
静态随机存取存储器 64K8KX8 BICMOS STAT RAM


安富利:
5.0V 8K x 8 Asynchronous Static RAM


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 5V 64K-Bit 8K x 8 20ns 28-Pin SOJ


罗切斯特:
SRAM Chip Async Single 5V 64K-bit 8K x 8 20ns 28-Pin SOJ Tube


7164S20YG中文资料参数规格
技术参数

存取时间 20 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

引脚数 28

封装 SOJ-28

外形尺寸

长度 17.9 mm

宽度 7.6 mm

高度 2.67 mm

封装 SOJ-28

厚度 2.67 mm

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买7164S20YG
型号: 7164S20YG
制造商: Integrated Device Technology 艾迪悌
描述:静态随机存取存储器 64K8KX8 BICMOS STAT RAM

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