2N7002W

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2N7002W概述

小信号MOSFET 60 V 340 mA时,单N通道, SC- 70 Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N−Channel, SC−70

增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor

增强模式场效应 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。

### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


得捷:
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70


立创商城:
2N7002W


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7002W, 115 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323 SC-70封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 115 mA, 78 V, 2.53 ohm, 10 V, 1.76 V


2N7002W中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 2.53 Ω

极性 N-CH

耗散功率 200 mW

阈值电压 1.76 V

漏源极电压Vds 78 V

连续漏极电流Ids 0.34A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 37.8pF @25VVds

额定功率Max 200 mW

下降时间 29 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

制造应用 Industrial, Power Management, 工业, Low Side Load Switch, DC-DC Converter, 电源管理, Level Shift Circuits, Portable Applications i.e. DSC, PDA, Cell Phone, etc.

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N7002W
型号: 2N7002W
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:小信号MOSFET 60 V 340 mA时,单N通道, SC- 70 Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N−Channel, SC−70
替代型号2N7002W
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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