小信号MOSFET 60 V 340 mA时,单N通道, SC- 70 Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N−Channel, SC−70
增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor
增强模式场效应 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。
### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
得捷:
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
立创商城:
2N7002W
欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7002W, 115 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323 SC-70封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 115 mA, 78 V, 2.53 ohm, 10 V, 1.76 V
针脚数 3
漏源极电阻 2.53 Ω
极性 N-CH
耗散功率 200 mW
阈值电压 1.76 V
漏源极电压Vds 78 V
连续漏极电流Ids 0.34A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 37.8pF @25VVds
额定功率Max 200 mW
下降时间 29 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 3000
制造应用 Industrial, Power Management, 工业, Low Side Load Switch, DC-DC Converter, 电源管理, Level Shift Circuits, Portable Applications i.e. DSC, PDA, Cell Phone, etc.
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N7002W ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N7002W-7 美台 | 功能相似 | 2N7002W和2N7002W-7的区别 |
2N7002W-TP 美微科 | 功能相似 | 2N7002W和2N7002W-TP的区别 |