P2010E5112BNT

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P2010E5112BNT概述

Res Thin Film 2010 51.1K Ohm 0.1% 1W ±25ppm/°C Sulfur Resistant Pad SMD T/R

SFERNICE THIN FILMS


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51.1kΩ ±0.1%


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Res Thin Film 2010 51.1K Ohm 0.1% 1W ±25ppm/°C Sulfur Resistant Pad SMD T/R


P2010E5112BNT中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1 W

电阻 51.1 KΩ

工作温度Max 155 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

封装 2010

外形尺寸

高度 0.5 mm

封装 2010

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买P2010E5112BNT
型号: P2010E5112BNT
制造商: VISHAY 威世
描述:Res Thin Film 2010 51.1K Ohm 0.1% 1W ±25ppm/°C Sulfur Resistant Pad SMD T/R

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