IRFH5110TRPBF

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IRFH5110TRPBF概述

INFINEON  IRFH5110TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 63 A, 100 V, 0.0103 ohm, 10 V, 4 V 新

表面贴装型 N 通道 11A(Ta),63A(Tc) 3.6W(Ta),114W(Tc) 8-PQFN(5x6)


欧时:
Infineon MOSFET IRFH5110TRPBF


立创商城:
IRFH5110TRPBF


得捷:
MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 63 A, 100 V, 0.0103 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 10V 11A 8-Pin PQFN EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 10V 11A 8-Pin QFN T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6


Verical:
Trans MOSFET N-CH 10V 11A 8-Pin PQFN EP T/R


Newark:
# INFINEON  IRFH5110TRPBF  MOSFET, N-CH, 100V, 63A, PQFN-8


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN


IRFH5110TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 3.6 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.0103 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 114 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 9.6 ns

输入电容Ciss 3152pF @25VVds

额定功率Max 3.6 W

下降时间 6.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.6W Ta, 114W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 QFN-8

外形尺寸

封装 QFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Battery Operated Drive, Isolated Primary Side MOSFETs

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRFH5110TRPBF
型号: IRFH5110TRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRFH5110TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 63 A, 100 V, 0.0103 ohm, 10 V, 4 V 新
替代型号IRFH5110TRPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRFH5110TRPBF

Infineon 英飞凌

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SIR846ADP-T1-GE3

威世

功能相似

IRFH5110TRPBF和SIR846ADP-T1-GE3的区别

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