对比图
型号 IRFH5110TRPBF SIR846ADP-T1-GE3
描述 INFINEON IRFH5110TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 63 A, 100 V, 0.0103 ohm, 10 V, 4 V 新VISHAY SIR846ADP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 QFN-8 SOP
额定功率 3.6 W -
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.0103 Ω 0.0065 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 114 W 83 W
阈值电压 4 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 11A -
上升时间 9.6 ns -
输入电容(Ciss) 3152pF @25V(Vds) 2350pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 3.6 W -
下降时间 6.4 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.6W (Ta), 114W (Tc) 83 W
封装 QFN-8 SOP
长度 - 6.25 mm
宽度 - 5.26 mm
高度 - 1.12 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 -