晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 250 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 V
The is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor"s high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction PFC, flat panel display FPD TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
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- 63nC Typical low gate charge
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- 70pF Typical low Crss
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- 100% Avalanche tested
针脚数 3
漏源极电阻 0.049 Ω
耗散功率 392 W
阈值电压 5 V
输入电容 3090 pF
漏源极电压Vds 250 V
上升时间 480 ns
输入电容Ciss 4020pF @25VVds
额定功率Max 392 W
下降时间 170 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 392000 mW
引脚数 3
封装 TO-3-3
长度 16.2 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
制造应用 电源管理, 照明, 消费电子产品
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDA59N25 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
FDA59N30 安森美 | 类似代替 | FDA59N25和FDA59N30的区别 |