对比图
型号 FDA59N25 FDA59N30 IXTQ64N25P
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 250 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 VFDA59N30 系列 300 V 0.047 Ohms N 沟道 Mosfet TO-3PNTO-3P N-CH 250V 64A
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 3 3 -
封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-3-3
安装方式 - - Through Hole
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.049 Ω 0.047 Ω -
耗散功率 392 W 500 W 400W (Tc)
阈值电压 5 V 5 V -
输入电容 3090 pF - -
漏源极电压(Vds) 250 V 300 V 250 V
上升时间 480 ns 575 ns 23.0 ns
输入电容(Ciss) 4020pF @25V(Vds) 4670pF @25V(Vds) 3450pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 392 W 500 W -
下降时间 170 ns 200 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 392000 mW 500000 mW 400W (Tc)
额定电压(DC) - - 25.0 V
额定电流 - - 64.0 A
极性 - - N-CH
连续漏极电流(Ids) - - 64.0 A
长度 16.2 mm - -
封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube, Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free